ZnO压敏电阻片残压比微观结构参数的关系
该文实验研究了厚度d对ZnO压敏电阻片残压比K〈,r〉的影响规律,表明残压比同样存在几何效应。实验研究了残压比K〈,r〉和电位梯度E〈,1mA〉、K〈,r〉和微观结构参数的关系,表明残压比K〈,r〉随电位梯度E〈,1mA〉成反比例下降,随平均晶粒尺寸μ的增大而增大。找到了一个综合微观结构参数-平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ〈’2〉的乘积(σ〈’2〉μ),能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型,并采用计算机模拟了残压比K〈,r〉和厚度d、K〈,r〉和平均晶粒尺寸μ以及K〈,r〉
氧化锌压敏电阻片 残压比 微观结构 避雷器
李盛涛 谢峰 刘辅宜
西安交通大学电气绝缘研究所
国内会议
青岛
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1998-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)