一种制备SiO<,2>膜的新方法--等离子体处理聚硅烷涂层
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO<,2>膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm<”-1>范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3-103.5eV,硅氧原子比为1:1.99;激光椭圆偏振仪测得折射率在1.30-1.55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表明,平带电压为正,计算得氧化物电荷的电性为负,密度为6.6×10<”10>-8.8×10<”11>个cm<”-2>,其大小可以通过改变处理条件进行控制;BT实验表明,可动电荷密度为(3-6)×10<”10>个cm<”-2>,这种新型SiO<,2>膜可望在微电子器件工艺中得到应用.
氧化硅薄膜 薄膜制备 聚硅烷 氧等离子体处理 氧化物电荷
谢茂浓 彭志坚 唐琳 傅鹤鉴
四川大学物理系(成都) 四川大学化学系(成都)
国内会议
山东威海
中文
237-239
2000-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）