气氛对ZrO<,2>缺陷结构的影响

摘要：

该文应用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了不同气氛（Ａｉｒ、Ａｒ、Ｈ〈，２〉、Ｎ〈，２〉、Ｏ〈，２〉）对于３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉与１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉缺陷结构和浓度的影响。结果表明：由于氧分压不同，不同气氛中处理的样品得到的正电子湮没寿命及相对强度不同，而不同的寿命及强度反映了捕获正电子的缺陷类型和数量的不同。３ｍｏｌ℅Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｒＯ〈，２〉在氧气中处理后试样的缺陷尺寸大，在空气中处理后炉冷试样和１０ｍｏｌ℅ＣｅＯ〈，２〉－ＺｒＯ〈，２〉在氩气中处理后试样的缺陷浓度分别最大。分析认为：单空位、空位团、缔合缺陷和相变引起的体缺陷（如微裂纹）对正电子湮没寿命贡献很大。

关键词： 氧化锆陶瓷 晶体缺陷 氧空位 结构-性能关系

作者: 王琳 郑秀华 王宝义 马创新 牛海燕

作者单位: 理工大学机械工程与自动化学院 院高能物理所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1020～1022

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）