氧对HL-IM装置原位硅化效果的影响

摘要：

自HL-IM装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能。该文就HL-IM装置运行中氧对硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射的影响进行了研究探讨。

关键词： 氧a-C/Si H涂层 等离于体杂质 辐射损失

作者: 王明旭 张年满

作者单位: 业西南物理研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 224～228

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）