GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

摘要：

采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出了氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47℅，为下步工艺 提供平整度较好的晶片。

关键词： 研磨片 化学腐蚀方法 晶片均匀性

作者: 郑红军 卜俊鹏 尹玉华 白玉柯

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 335～339

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）