高能电子辐照对非晶硅太阳电池的影响

摘要：

本文报道a-Si:H Pin太阳电池的1MeV1.4～8.4×10<”15>cm<”-2>电子辐照实验结果.测量了电子辐照对a-Si:H太阳电池光暗J-V特性的影响,以及它们的退火行为.发现这样剂量范围的1MeV电子辐照可使a-Si:H太阳电池性能显著退化,而室温退火能使电池性能部分得到恢复,但即使在130℃下经2h退火电池性能也不能完全恢复.本文在双能级模型的基础上对以上结果给出了合理的解释.并讨论了a-Si:H电池的电子辐照效庆与光致退化效应(S-W效应)的异同.

关键词： a-Si H太阳电池 电子辐照效应 缺陷态

作者: 李柳青 廖显伯 游志朴

作者单位: 北京印刷学院基础部(北京) 中科院半导体所(北京) 四川联合大学物理系(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 85-87

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）