固态源后硒化法制备CIS薄膜的研究

摘要：

采用固态源后硒化制备CIS薄膜具有设备工艺方法简单,易于控制硒化反应过程,可提高制备工艺的重复性等材料特点.本文介绍了固态源后硒化法的工艺制备及设备结构;对同一元素配比的基底采用不同硒化条件,以及同一硒化条件,不同元素配比的基底材料所生成的硒化物有何不同;钼膜衬底和玻璃衬底所生成的硒化物不何不同等等进行了实验研究与分析.结果表明,元素配比的精确性决定着CIS薄膜材料制备的重复性;硒化过程中衬底温度和硒原子浓度在一定范围内对CIS生成物的影响并不敏感;In与Cu的元素配比在一定程度 上的误差都可能导致CuIn<,2.0>Se<,3.5>多晶体的产生;衬底材料对硒化物的结晶状况有着不可忽视的影响.

关键词： 硒化法 铜铟硒薄膜 太阳电池

作者: 孙云 龚晓波 钟兵 刘永吉 郭虎森 刘明光 李长健

作者单位: 南开大学电子研究所(天津) 朝鲜平壤理科大学 南开大学中心实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 112-115

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）