稀土掺杂硅基氧化薄膜蓝紫发光特性研究
在探索有效发光电子器件和光电集成微电子材料的研究中,掺杂稀土硅基材料近年来引起了人们的关注.我们用离子注入的方法制备了掺La、Nd和Ce的硅氧化膜,研究了他们的光致发光特性.实验表明,在紫外光(λ<,ex>=250nm)激发下,他们均具有显著的蓝紫光发射,且发光稳定,光致发光(PL)谱具有多峰结构,发光强度与掺稀土种类、浓度和制备过程中退火温度等多种因素有关.本文对发光机理也作了初步探讨.
稀土掺杂 离子注入 光致蓝紫发光 硅基氧化膜 卢瑟福背散射谱
曾宇昕 王平 王水凤 元美玲 王兼善 徐飞 程国安 沈鸿烈
南昌大学材料系(南昌) 南昌大学计算中心(南昌) 南昌大学物理系(南昌) 中科院上海冶金研究所(上海)
国内会议
第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
北京
中文
193-195
2001-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)