多晶硅薄膜的固相晶化法制备及光电特性研究

摘要：

用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅的平均晶粒尺寸与a-Si:H的沉积条件和退火条件的关系:测量了多晶硅薄膜的室温暗电导率和光能隙,并讨论了影响它们的因素.

关键词： 多晶硅 固相晶化 光电特性

作者: 吴萍 林璇英 姚若河 余楚迎

作者单位: 汕头大学物理系(汕头)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 174-178

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）