离子注入、共溅射方法制备SiO<,2>(Eu)薄膜光发射和Eu<”3+>到Eu<”2+>的转变

摘要：

采用共溅射和铕离子注入热生长的SiO<,2>方法得到SiO<,2>(Eu)薄膜,Eu离子的掺杂浓度用Rotherford背散射确定为4﹪和0.5﹪.对样品的光荧光测试发现,薄膜具有峰值在604nm和443nm的红光和蓝光发射,分别对应于Eu<”3+>的<”5>D<,0>-<”7>F<,J>跃迁和Eu<”2+>的4f<”6>5d<”1>-4f<”7>(<”8>S<,1/2>)的跃迁.样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究,表明了在高温氮气中发生了Eu<”3+>向Eu<”2+>的转变.SiO<,2>(Eu)薄膜高温氮气温退火下蓝光发射的增强证明了这一结论.

关键词： SiO<,2>(Eu)薄膜 共溅射 离子注入 荧光发射 XANES

作者: 刘丰珍 朱美芳 刘涛 李秉程

作者单位: 中国科技大学研究生院和稀土化学及应用国家重点实验室(北京) 高能物理研究所同步辐射实验室(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 148-151

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）