紧束缚分子动力学计算金刚石硅点缺陷的迁移能

摘要：

我们利用紧束缚分子动力学(TBMD)的模拟方法,采用NVT分子动力学计算出金刚石硅的点缺陷迁移能,E<,m>=0.37eV,并且得到空穴的近邻原子在某一温度下的跃迁过程.与采用由扩散热垒计算的静态方法所得到的结果作了比较,我们发现由NVT方法模拟所得到结果更符合于事实.

关键词： 金刚石硅 紧束缚 空穴迁移能

作者: 刘玉真 罗成林

作者单位: 南京师范大学物理系(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 142-144

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）