在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速化研究

摘要：

本工作重点是在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频化学气相沉积1～4μm厚的a-Si薄膜(基底沉积温度为300℃,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N<,2>气保护中热退火,可使其快速晶化成为多晶硅薄膜.结果表明:在铝薄膜的诱导下a-Si薄膜在温度550℃附近退火5min即可达到晶化,X-射线衍射分析显示样品退火30min形成的硅层基本全部晶化,且具有良好的晶化质量.

关键词： 非晶硅薄膜 快速热退火 铝诱导晶化

作者: 梁厚蕴 林揆训 石旺舟 周甫方

作者单位: 汕头大学功能材料实验室(汕头)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 91-94

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）