双惠斯登电桥集成压力传感器

摘要：

设计了两种新型双惠斯登电桥结构集成压力传感器.其中力敏电桥位于膜片上的高应力区,补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区,并且组成每个电桥的四个电阻集中设置在同一区域.将力敏电桥和补偿电桥的输出信号相减,可望明显减小压力传感器的失调与温漂.该压力传感器还设置了片内信号处理电路,采用PMOS工艺实现集成制造.本文给出了初步测试结果.

关键词： 压力传感器 应力分析 惠斯登电桥 温度漂移

作者: 岳瑞峰 徐杨 刘理天 李志坚

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 207-209

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）