氧化镁包埋的氧化锌量子点的形成和光致发光特性研究

摘要：

利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌的形成.在室温条件下,经过900℃和1000℃退火的样品的光致发光(PL)谱中在375nm附近表现出强的紫外光发射.从77K到室温的变湿光致发光谱的结果表明限制在氧化镁基质中的氧化锌量子点具有比较大的激子束缚能.此外,还讨论了退火温度和发光性质的关系

关键词： 氧化锌量子 氧化镁薄膜 光致发光 后退火 半导体薄膜

作者: 马剑钢 刘益春 吕有明 孔祥贵 申德振 范希武

作者单位: 东北师范大学理论物理研究所(长春)中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室(长春) 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国激光学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 506-508

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）