直流磁控溅射工艺条件对玻璃基TiN薄膜晶面取向及化学计量比的影响
用直流磁控溅射法,通过改变溅射总气压及N<,2>与Ar的比例,在玻璃基片上制备了一系列TiN薄膜试样,利用X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分别对试样的晶面取向和化学计量比进行了研究.XRD的结果显示,在其他条件不变的情况下,当N<,2>与Ar的比例不变,增加溅射总气压时,R值(TiN膜(200)与(111)晶面强度比)逐渐减小,在溅射总气压接近1.0Pa时,R值接近1;当固定溅射总气压,加大溅射气体中N<,2>的比例时,R值随N<,2>比例的增加先增大,当N<,2>的比例大于10﹪后,R值几乎不再随N<,2>比例的增加而变化.XPS的结果表明,所有试样的N与Ti的原子比均大于1;改变溅射气体温表N<,2>的比例可明显改变N/Ti的比值,当N<,2>的比例在5﹪左右时,N/Ti的比值达1.3.
晶面取向 反应磁控溅射 氮化钛薄膜 化学计量比 玻璃基薄膜
赵青南 赵修建
硅酸盐材料工程教育部重点实验室 材料研究与测试中心武汉理工大学(武汉) 硅酸盐材料工程教育部重点实验室
国内会议
武汉
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503-505
2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）