InP/SiO<,2>纳米颗粒膜的非线性光学性质研究

摘要：

采用脉冲高斯激光光束Z扫描方法测量了用磁控共溅射技术制备的InP/SiO<,2>纳米颗粒薄膜的非线性光学性质.测量结果表明,在激光波长为585nm(非共振)的条件下,经310℃退火的薄膜的非线性折射率系数γ的大小为10<”-11>m<”2>/W量级,比块材InP晶体相应的数值提高了5个数量级.薄膜的光学非线性对退火温度相当敏感.光学非线性增强主要起因于光致载流子的强量子限制效应和大量的局域态的振子强度的增强.

关键词： Z扫描 脉冲激光 InP纳米颗粒膜 化合物半导体 非线性光学性质

作者: 丁瑞钦 王浩 余卫龙 丘志仁 李润华 S.P.Wong

作者单位: 五邑大学薄膜与纳米材料研究所(江门)中山大学超快速激光光谱国家重点实验室(广州) 五邑大学薄膜与纳米材料研究所(江门) 中山大学超快速激光光谱国家重点实验室(广州) 香港中文大学电子工程系(新界香港)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国激光学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 63-65

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）