电化学侵蚀条件对多孔硅理化性质影响的实验研究

摘要：

本文采用荧光光谱仪和原子力显微镜测量了多孔硅的理化性质,得到了初步研究结果.

关键词： 多孔硅 理化性质 荧光光谱仪 原子力显微镜 电化学浸蚀工艺

作者: 黎学明 杨建春

作者单位: 重庆大学化学化工学院(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一次全国电化学会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 222-223

在线出版日期: 2001-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）