提高ZnO压敏电阻片电位梯度和降低其残压比的工艺措施

摘要：

本文介绍了采用新工艺、新配方来提高ZnO压敏电阻片的电位梯度、降低残压比的试验过程.首先从配方入手,通过大量试验,得出较优配方,再通过工艺比较,选用新工艺,在此基础上采用新工艺、新配方获得了理想的试验结果.

关键词： 氧化锌压敏电阻片 电位梯度 残压比 工艺措施 避雷器

作者: 安群力

作者单位: 抚顺电瓷厂中心试验室(辽宁抚顺)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电工陶瓷第七次学术年会

会议地点: 武夷山

会议语种:中文

页码: 106-107

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）