居里温度区BaTiO<,3>基陶瓷电容器极小值直流击穿现象
本文研究了BaTiO<,3>基多层陶瓷电容器(MLCs)直流击穿与温度的关系.测量了从室温到250℃范围内BaTiO<,3>基多层陶瓷电容器的直流击穿场强(BDFs),通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿.最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子发射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO<,3>基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论.
直流击穿 空间电荷 居里温度 陶瓷电容器
周远翔 程子霞 严萍 梁曦东 关志成
清华大学电机系(北京) 中国科学院电工研究所(北京)
国内会议
武夷山
中文
11-14
2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)