MeV Si轰击SiO<,2>的溅射行为研究

摘要：

利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1～ 5MeV Si离子轰击SiO<,2>产生的Si<”+>能谱和溅射产额.发现在1～2MeV时SiO<,2>的溅射过程可以利用核溅射理论来较好的解释;当入射离子能量高于4MeV时电子溅射机制开始占主要地位,测量结果比较符合热峰模型的预言.在中间能量区域,两种机制的作用都比较明显.通过对实验结果的分析,得到了描述不同能量重离子溅射SiO<,2>的普适溅射产额公式.

关键词： 溅射 溅射产额 飞行时间谱仪

作者: 薛建明 今西信嗣

作者单位: 北京大学重离子物理所(北京),日本京都大学核工程系 日本京都大学核工程系

会议类型: 国内会议

会议名称: ”2001全国荷电粒子源粒子束学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 144-148

在线出版日期: 2001-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）