离子束辅助沉积立方氧化硼的试验研究

摘要：

本文运用离子束辅助沉积法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,主要研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响.用红外光谱(FTIR)、及光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析.结果指出:①合适的离子辅助能量,能够获得c-BN含量高的薄膜.②膜中c-BN的含量随真空中N<,2>含量提高而增加.③辅助束流对薄膜的形成影响不明显.

关键词： 立方氮化硼薄膜 离子束辅助沉积

作者: 谭俊 张平 蔡志海 王晓晴 唐云

作者单位: 中国机械工程学会表面工程研究所(北京) 装甲兵工程学院材料加工教研室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: ”2001全国荷电粒子源粒子束学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 254-257

在线出版日期: 2001-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）