弧热束化学汽相沉积合成氮化碳薄膜
本文采用弧热束化学汽相(CVD)没积法在光滑的Si(100)单晶片上沉积氮化碳薄膜,衬底的体温度保持在100℃以下.一台弧热等离子体源被用来分解CH<,4>,N<,2>和H<,2>,出射束由高密度的中性N、H和CH<,x>-构成(10<”19>-10<”20>原子/弧度 秒).该出射束同衬底相互作用合成氮化碳薄膜.俄歇电子能谱(AES)结果显示薄膜主要由C,N和O元素组成,不含阴极或阳极材料Mo、W、Cu等.X射线光电子能谱(XPS)揭示沉积的薄膜主要由C<,3>N<,4>、CN<,x>(包括C<,2>N、C<,5>N)、石墨等结构构成.
弧热束化学气相沉积 氮化碳薄膜
许宁 应质峰 杜元成 李富铭
复合大学光科学与工程系,三束材料改性国家重点联合实验室(上海)
国内会议
海口
中文
328-332
2001-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）