CMOS集成电路自锁效应的分析

摘要：

本文详细讨论了-55℃～125℃CMOS集成电路的自锁效应维持电流与温度的关系,导出了近似表达式I<,H>(T)=I<,H>(T<,1>(T<,1>/T)<”m>,并给出了m的估算值.计算结果表明近似公式误差小.能完整反映-55℃～125℃的I<,H>(T)变化规律并能与实验结果符合.

关键词： CMOS集成电路 自锁效应 维持电流

作者: 朱先宇 柯导明 陈军宁

作者单位: 安徽大学电子工程与信息科学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十四届计算机科学及其在仪器仪表中的应用学术交流会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 364-368

在线出版日期: 2001-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）