1.55μm InGaAs/InGaAs应变补偿量子阱激光器的温度依赖特性

摘要：

本文在零净应变化条件下对1.55μm InGaAs/InGaAs应变补偿量子阱激光器的温度依赖特性进行了分析.计算结果表明,在一定的温度下为了实现激光器1.55μm波长的激射,量子阱宽、腔长、阈值载流子浓度和阈值电流密度之间必须满足一定的关系,即阱宽增大时,腔长必须减小,阈值载流子浓度和阈值电流密度随之增大.温度升高时,阈值载流子浓度和阈值电流密度随之升高.腔长增大时,激光器的特征温度随之增高,从而温度依赖特性变得更好.

关键词： 量子阱激光器 温度依赖特性 阈值载流子浓度 阈值电流密度

作者: 马春生 郭文滨 刘式塘

作者单位: 吉林大学电子工程系 集成光电子学国家重点联合实验室(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 536-538

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）