高性能无致冷1.3μmAlGaInAs应变量子阱激光器

摘要：

本文报道了AlGaInAs应变量子阱材料生长的低压金属有机化学气相沉积的工艺研究结果,用SIMS、XRD、PL等技术分析了量子阱材料的结构组成、纯度、光学特性,得到优化的生长工艺和量子阱结构;制作的脊形波导量子阱激光器量子效率变化Δη<,ex>(25℃～85℃)<1.0dB,线性功率P>10mw,满足无致冷工作要求.

关键词： 量子阱材料 量子阱激光器 低压金属有机化学气相沉积 温度特性

作者: 金锦炎 刘涛

作者单位: 武汉邮电科学研究院(湖北武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 532-535

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）