全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性

摘要：

与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE掩埋的DFB激光器下降了35﹪,达到7mA.25℃～80℃的斜效率平均变化1.3dB.

关键词： 光纤激光器 光通信系统 化学气相沉积 液相外延

作者: 杨新民 张哲民 周宁 王定理 张军

作者单位: 武汉邮电科学研究院(湖北武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 529-531

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）