功率MOS、IGBT单粒烧毁、栅穿效应模拟实验研究

摘要：

建立了利用<’252>Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置.开展了功率MOS器件、绝缘栅及极晶体管(IGBT)的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值,以及随器件偏置的变化规律.

关键词： 功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 模拟试验 绝缘栅双极晶体管

作者: 唐本奇 王燕萍 耿斌

作者单位: 西北核技术研究所(陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体核径迹会议

会议地点: 云南景洪

会议语种:中文

页码: 87-90

在线出版日期: 2001-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）