亚纳秒级GaAs光导探测器性能的改善与提高
在已研制的亚纳秒级GaAs光导探测器的基础上,通过改变基片材料纯度、微带厚度、选择不同性能的导电胶和焊料以及中子辐照GaAs晶体等工艺过程,使该探测器的响应特性得到明显的改善和提高.经分别在N<,2>分子激光器、DPF-200号X光装置、晨光号电子束装置、5μs闪光灯和飞秒级染料激光器上的标定,以及实际的应用,均给出满意的快速响应和输出波形.
核探测器 光导探测器
张建泉 昝秀贤
西北核技术研究所(西安)
国内会议
桂林
中文
70-73
2001-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）