参数设计对NMOSFET加固性能改进的理论模拟

摘要：

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状三个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度,降低辐照栅电压,以及减少鸟嘴斜率都有助于降低寄生泄漏电流,提高抗辐射能力.

关键词： 抗辐射加固 掺杂浓度 辐照偏压 鸟嘴形状

作者: 罗尹虹 张正选 姜景和 姚育娟 何宝平 王桂珍 彭宏论

作者单位: 西北核技术研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届计算物理学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 299-303

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）