10keVX射线在“加速实验”辐照中的优势

摘要：

本文首先利用实验结果分析了54HC04的阈值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系,对若干种加速实验方法作了比较,认为采用10keV X射线源可以对MOS器件进行快速的加速实验性能测试.从环境安全考虑,该X射线源易于屏蔽,该方法还可以用于对硅片级的参数测试,且花费远远小于封装后的器件在<”60>Co源上的性能测试,该方法是一种可行的评估器件总剂量水平的手段.

关键词： X射线 加速实验 高温退火 辐照 集成电路测试

作者: 郭红霞 陈雨生 周辉 关颖 韩福斌 龚建成

作者单位: 西北核技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届计算物理学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 76-81

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）