增强光电流模型对微电路PN结的二维数值模拟

摘要：

本文针对新一代微电路PN结结构提出了增强光电流模型.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应.这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.

关键词： 微电路 光电流 过剩载流子 电离辐射

作者: 郭红霞 张义门 陈雨生 周辉 陈世彬 龚仁喜 关颖 韩福斌 龚建成

作者单位: 西安电子科技大学微电子所 西北核技术研究所 西安电子科技大学微电子所 西北核技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届计算物理学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 252-257

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）