电子辐射损伤Monte Carlo模拟方法

摘要：

本文提出了高能电子位移能量损失的Monte Carlo模拟方法,利用该方法计算了高能电子在半导体硅中的阻止本领及产生的缺陷分布.计算结果与文献符合较好.

关键词： 辐射损伤 能量沉积 累积剂量效应

作者: 陈世彬 西北核技术研究所(西安) 张义门 陈雨生 张玉明

作者单位: 西安电子科技大学微电子所(西安) 西北核技术研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届计算物理学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 208-211

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）