碳化硅MPS的二维模拟

摘要：

本文对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的伏安特性进行了模拟,结果表明MPS正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达3000A/um,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器.

关键词： 伏安特性 功率整流器 硅化硅二极管

作者: 张玉明 牛新军 张义门 吕红亮

作者单位: 西安电子科技大学微电子所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届计算物理学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 203-207

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）