高能质子在存储单元灵敏区内沉积能量的模拟计算

摘要：

采用Monte Carlo方法模拟高能质子与半导体材料硅的反应.应用TRIM程序计算次级粒子的射程.计算得到了不同能量的高能质子在存储单元灵敏区内沉积的能量.指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量,导致单粒子效应.

关键词： 高能质子 单粒子效应 存贮单元

作者: 贺朝会 陈晓华 李国政

作者单位: 西北核技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届计算物理学术会议

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 197-202

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）