MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟
本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通过输入不同粒子的LET(Line Energy Transmission)值,得到了某一结构器件的翻转概率与LET值的关系曲线.分析了不同结构参数,如结深、外延层掺杂浓度、结掺杂浓度的变化对SEU的影响.模拟得到结果与电荷漏斗模型相吻合.表明了所1立的物理模型的正确性.同时通过本文的工作也反映了模拟过程存在某些不足,仍有许多方面有待进一步研究.
单粒子翻转 线性能量传输 漏斗模型
郭红霞 张义门 陈雨生 周辉 肖伟坚 龚仁喜 贺朝会 龚建成
西安电子科技大学微电子所 西北核技术研究所 西安电子科技大学微电子所 西北核技术研究所
国内会议
乌鲁木齐
中文
179-183
2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）