采用Levenson相移掩模的KrF准分子激光投影光刻工艺研究
本文介绍我们把相移掩模光刻技术和准分子激光光刻技术结合起来进行的进一步提高光刻分辨力,扩展光学光刻极限的研究.包括Levenson相移掩模的制作工艺,KrF准分子激光缩小投影曝光光刻实验系统的建立,以及采用制作的相移掩模在实验系统上进行光刻曝光的工艺.并对采用相移掩模和采用普通掩模的实验结果进行了对比,得出了采用相移掩模后能够显著提高准分子激光投影光刻分辨力的结果.
相移掩模 准分子激光 光刻工艺
侯德胜 孙方 冯伯儒 张锦
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(成都)
国内会议
广西北海
中文
437-441
2000-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)