会议专题

直流磁控溅射制备氧化钒(VOx)薄膜

本文对直流磁控反应溅射制备氧化钒薄膜进行了研究.用转靶X射线衍射(XRS),X光电子能谱(XPS)对薄膜的结构,组分进行了测试.实验结果表明;制备条件(衬底温度、反应气体化、靶与衬底的间距、磁控溅射功率等)影响氧化钒薄膜的结构和性能.氧化钒薄膜的结构,组分决定了薄膜的电阻温度系数(TCR).给出了反应溅射制备性能优良的氧化钒热敏材料的典型工艺条件.

反应溅射 氧化钒薄膜 电阻温度系数 电阻式测辐射热计

李华高 杨子文 刘爽

重庆光电技术研究所(重庆) 电子科技大学(成都)

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2000-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)