InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术

摘要：

用H<,3>PO<,4>:H<,2>O<,2>系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率F<,1>和最大振荡率F<,max>分别为11GHz和12GHz。

关键词： 选择腐蚀 半导体器件 湿法化学

作者: 李献杰 曾庆明 徐晓春

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄),吉林大学光集成国家重点实验室(长 信息产业部电子第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 178～181

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）