含新型载流子限制光栅的1.55um InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器及其优化（1）

摘要：

该文报道了一种含新型载流子限制光栅的1.55um InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器。研究人员对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子限制光栅的作用得到了很强的增益耦合。器件利用LPE和MOCVD混合生长，在端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率。

关键词： 新型载流子限制光栅 1.55um InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

作者: 甘雨农

作者单位: 大学电子工程系,集成光电子学国家重点买验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 249～252

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）