GaNLED芯片的制备和特性

摘要：

该文对制造GaNLED芯片的工艺路线进行了初步探索，报道了采用了Pt/Ni/Au半透明薄膜P电极和Ti/Al薄膜N电极制作GaN蓝光LED台面结构芯片的研究结果。N型掺杂GaN的Pt/N/iAu欧姆接触比电阻约为2×10Ω·cm<”2>，et ICP对GaN进行干法刻蚀，GaN台面高度大于1微米，最后给出了GaNLED台面结构芯片的特性。

关键词： 芯片制备 干法刻蚀 LED伏安特性 光输出

作者: 张冀 李胜瑞 王宗英 付一哲

作者单位: 信息产业部电子第十三所光电专业部(石家庄),河北立德电子有限公司(石家 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 80～84

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）