InGaAs/GaAs多量子阱谐振腔增强型光调制器结构设计

摘要：

该文报导InGaAs/GaAs谐振腔增强型(RCE)光调制器的结构设计。首先作者们计算了InGaAs/GaAs多量子阱结构二维激子吸收系数和量子限制Stark效应，对谐振腔增强型光调制器的结构参数进行了理论分析，优化设计出适合于倒装焊工艺的谐振腔增强型光调制器微结构。

关键词： 谐振腔型光调制器 DBR 光电子器件 结构设计

作者: 邓晖 梁琨 陈弘达

作者单位: 集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 193～195

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）