会议专题

肖特基势垒MOSFET的关态泄漏电流

肖特基势垒栅场效应器件 短沟效应 掺杂浓度 源漏接触

刘晓彦 林长海 关旭东 韩汝琦

大学微电子所

国内会议

第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

大连

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558~561

1999-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)