SiC高压肖特基二极管特性研究

摘要：

本文比较了SiC高压肖特基热垒二极管与Si基肖特基二极管导通电阻与击穿电压的矛盾关系.通过修正二维数值模拟器MEDICI中关于SiC的参数和模型,对SiC肖特基二极管进行了准确的模拟分析.本文首次将阶梯掺杂终端用于SiC器件,用MIDICI对阶梯掺杂终端结构进行优化.分析结果表明,单区JTE结构的耐压可达理想平行平面耐压的64℅,二区JTE结构可达90℅左右.优于单环注入和双环注入终端结构.

关键词： 肖特基二极管 碳化硅 二维数值模拟

作者: 罗卢杨 张平德 张波 李肇基

作者单位: 电子科技大学微电子研究所(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第七次全国学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 100-103

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）