SIMOX材料制作及其结构、电特性与杂质分析

摘要：

用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污情况,说明了SIMOX材料顶部硅层的缺陷和残余氧等杂质的施主作用.要制作适合器件需要的SOI材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤.

关键词： 扩展电阻法 二次离子质谱分析 光致发光谱

作者: 罗晏 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 梁宏 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 马芙蓉 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 李晓明 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 陈如意 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 夏稷 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 卢志恒 北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 李映雪 张兴 王阳元

作者单位: 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第七届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 801-806

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）