热处理对纳米晶氧化锡薄膜的接触特性的影响

摘要：

采用直流磁控溅射的方法,在Ar和O<,2>气氛中,基板温度在150-400℃下,可以制备纳米晶透明导电薄膜.本实验利用传输线模型测试了在200-600℃范围纳米晶透明导电薄膜的方块电阻与单位面积薄膜的接触电阻,以及金属电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化.

关键词： 纳米晶SnO<,2>薄膜 金属电极 传输线模型 接触特性

作者: 王占和 郝群 祝侃 蒋煜婧

作者单位: 北京理工大学电子工程系(北京) 北京理工大学光电工程系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第七届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 938-941

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）