高温CMOS模拟集成电路的版图设计

摘要：

这篇文章给出了高温CMOS模拟集成电路中MOST沟道宽度的设计规则,并分析了该规则对电路小信号增益和电路直流工作点的影响.

关键词： 模拟集成电路 沟道宽度 电压增益 版图设计

作者: 陈军宁 柯导明

作者单位: 安徽大学电子工程系(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第十六届年会

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 370-373

在线出版日期: 2001-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）