手机用砷化镓单刀双掷射频开关

摘要：

报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950MHz下,插入损耗(I<,L>)≤0.4dB,回波损耗(R<,L>)≥19.5dB,反向三阶交调(P<,TCI>)≥67dBm,隔离度(Iso>)≥15.5dB,控制电压为(0,+4.75V).

关键词： 砷化镓 单刀双掷 射频开关 手机

作者: 蒋幼泉 李拂晓 黄念宁 陈继义 邵凯 杨乃彬

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001全国微波毫米波会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 442-445

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）