一种高可靠的砷化镓单片DPDT射频开关

摘要：

采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试验表明该塑封单片电路MTTF已达6.29×10<”6>器件小时,(150℃环境温度)比目前国内研制开发的同类型单片寿命提高一个量级,是国内第一只通过国际质量标准的塑封砷化镓单片射频开关.

关键词： 手机 可靠性 砷化镓 单片开关

作者: 李拂晓 蒋幼泉 徐中仓 钮利荣 邵凯 杨乃彬

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001全国微波毫米波会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 438-441

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）