高成品率手机用砷化镓单片开关
采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关).该单片开关面积1310×1250μm<”2>,总栅宽36mm,工作效率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I<,L>小于0.52dB,隔离度I<,SO>大于17dB,驻波VSWR≤1.3,2GHz下I<,L>小于0.7dB,I<,SO>大于dB,驻波≤1.3,反向三阶交调P<,TOI优于64dBm,1W射频信号下的栅漏电小于20μA.连续五批共60片的统计结果表明,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低84﹪,最高96﹪;微波参数成品率在75﹪～86﹪之间,代表着国内砷化镓单片电路成品率的最高水平.
高成品率 砷化镓 单片开关 手机
李拂晓 蒋幼泉 陈继义 钮利荣 高建峰 邵凯 杨乃彬
南京电子器件研究所
国内会议
成都
中文
435-437
2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）