Ka波段HEMT压控振荡器

摘要：

本文介绍了一种高电子迁移率(HEMT)芯片型器件作为振荡器件并利用混合微波集成电路工艺制做的Ka波段雷达用小型压控振荡器(VCO).本研究是利用Microwave Design System(HP MDS)软件进行优化设计和电路仿真,证明了利用小信号模型设计混合微波集成电路VCO的可行性.整个VCO电路制作在12×10mm<”2>的介质基片上.测试结果表明:频率调谐范围为35.85GHz±150MHz,电压控制输出功率变化为4-4.7mW,且具有良好的线性度.

关键词： Ka波段 压控振荡器 HEMT 微波集成电路

作者: 吴群

作者单位: 哈尔滨工业大学电子与通信工程系

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001全国微波毫米波会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 423-425

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）